Pengaruh Suhu Annealing Pada Lapisan Tipis TiO2 Transparan terhadap Sifat Optik dan Sifat Listrik untuk Aplikasi Sel Surya Transparan

Nandani, Nandani (2017) Pengaruh Suhu Annealing Pada Lapisan Tipis TiO2 Transparan terhadap Sifat Optik dan Sifat Listrik untuk Aplikasi Sel Surya Transparan. Other thesis, Universitas Sebelas Maret.

[img] PDF - Published Version
Download (1098Kb)

    Abstract

    Titanium dioksida (TiO2) merupakan bahan serbaguna dalam beberapa aplikasi baik dalam penyerapan cahaya atau transparansi untuk penambahan konduktivitas listrik. Titanium dioksida memiliki tiga struktur kristal yang berbeda: rutil (tetragonal), anatase (tetragonal) dan brookite (ortorombik). Jenis fase kristal dari TiO2 yang sering digunakan pada DSSC adalah fase anatase, hal ini dikarenakan fase anatase memiliki tingkat fotoaktivitas yang tinggi serta luas permukaan yang besar. Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh suhu annealing pada lapisan tipis TiO2 transparan yang dapat diaplikasikan pada sel surya transparan. Lapisan tipis TiO2 transparan dideposisi dengan menggunakan metode screen printing. Screen yang digunakan yaitu tipe T-49 sedangkan pasta TiO2 yang digunakan merupakan merk dyesol dengan spesifikasi 18NR-T. Lapisan tipis TiO2 transparan yang telah terdeposisi kemudian diberi perlakuan annealing dengan variasi suhu 450oC, 500oC, 550oC dan 600oC. Karakterisasi dilakukan dengan menggunakan X-Ray Diffraction (XRD) untuk mengetahui pengaruh suhu annealing terhadap kekristalan lapisan tipis TiO2 transparan. Karakterisasi morfologi permukaan menggunakan Scanning Electron Microscopy (SEM). Sifat optik absorbansi, transmitansi dan energi celah optik (bandgap) menggunakan UV-Vis Spectrophotometer. Sifat listrik yaitu resistivitas diukur dengan menggunakan four point probe. Puncak difraksi muncul paling banyak pada suhu anil 550oC dengan fase anatase. Puncak absorbansi tertinggi lapisan tipis TiO2 transparan terjadi pada panjang gelombang 303 nm saat diberi suhu anil 550oC. Pemberian variasi suhu annealing pada lapisan tipis TiO2 transparan mengakibatkan nilai resistivitas semakin turun. Nilai resistivitas terkecil didapatkan pada suhu anil 550oC sebesar 4,12×10^(-2) Ωm. Kata kunci: Annealing, TiO2 transparan , Screen Printing dan anatase

    Item Type: Thesis (Other)
    Subjects: Q Science > Q Science (General)
    Q Science > QC Physics
    Divisions: Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam
    Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam > Fisika
    Depositing User: Rea Aisha Champa
    Date Deposited: 30 Dec 2017 23:27
    Last Modified: 30 Dec 2017 23:27
    URI: https://eprints.uns.ac.id/id/eprint/38610

    Actions (login required)

    View Item