Electrical Characteristics and Annealing Effect on Al/n-GaSb Schottky Diode Doped Using DMTe (Dimethyltellurium)

Ramelan, Ari Handono and Harjana, and Arifin, Pepen and Goldys, Ewa (2014) Electrical Characteristics and Annealing Effect on Al/n-GaSb Schottky Diode Doped Using DMTe (Dimethyltellurium). JURNAL MATEMATIKA DAN SAINS, 15 (3).

[img]
Preview
PDF - Published Version
Download (232Kb) | Preview

    Abstract

    The electrical properties of Al/n-GaSb Schottky diodes, doped with 1.4 × 1018 cm−3 (tellurium) were examined. C-V (capacitance-voltage) measurements at 300 K show barrier heights of 0.63 eV, compared to 0.59 eV determined from room temperature I-V (current-voltage) measurements. The voltage and frequency dependence on the capacitance is due to the ideality factor of the Schottky barrier and due to a high series resistance. At low frequency the measured capacitance is dominated by the depletion capacitance of the Al/n-GaSb Schottky diode which is bias-dependent and frequency-dependent. The diode shows a strong temperature dependence of ideality factor from approximately 3.6 at room temperature to as high as 6.7 at 140 K. There may be a small portion of the device nonideality attributable to generation-recombination currents due to deep levels in GaSb. The barrier height decreased from 0.57 eV to 0.35 eV for the sample annealed at 300oC for 1 minute. Keywords: Schottky diode, Electrical properties, Annealing, Doping DMTe(Dimethyltellurium) Abstrak Sifat-sifat listrik dari diode Schottky Al/n-GaSb yang didadah dengan tellurium 1.4 × 1018 cm−3 dikaji dalam penelitian ini. Pengukuran C-V (kapasitansi-tegangan) pada suhu 300 K menunjukkan bahwa besarnya energi halang (barrier height) sebesar 0,63 dan dibandingkan dengan hasil pengukuran I-V (arus-tegangan) pada suhu kamar adalah sebesar 0,59 eV. Ketergantungan kapasitansi terhadap tegangan dan frekuensi adalah disebabkan oleh factor idealitas (ideality factor) energi halang dari diode Schottky dan juga disebabkan oleh resistansi seri yang tinggi. Pada frekuensi rendah kapasitansi yang terukur didominasi oleh kapasitansi deplesi dari diode Schottky Al/n-GaSb yang tergantung dari tegangan bias dan frekuensi. Faktor idealitas diode menunjukkan ketergantungan yang sangat kuat terhadap suhu, dari sekitar 3,6 pada suhu kamar sampai sebesar 6,7 untuk suhu 140o. Ketidak-idelan divais munculnya dari arus generasi-rekombinasi karena tingkatan energy dalam GaSb. Energi halangnya menurun dari 0,57 eV menjadi 0,35 eV untuk sampel dianil pada suhu 300oC selama 1 menit. Kata kunci : Diode Schottky, Sifat listrik, Penganilan, Pendadahan DMTe(Dimethyltellurium)

    Item Type: Article
    Subjects: Q Science > QA Mathematics > QA75 Electronic computers. Computer science
    Divisions: Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam > Matematika
    Depositing User: Devi Arlina Irawati
    Date Deposited: 15 Apr 2014 04:47
    Last Modified: 11 Oct 2016 18:54
    URI: https://eprints.uns.ac.id/id/eprint/11098

    Actions (login required)

    View Item